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VVZ 110
VVZ 175
Symbol
I R , I D
V F , V T
Test Conditions
V R = V RRM ; V D = V DRM
I F , I T = 200 A, T VJ = 25°C
T VJ = T VJM
T VJ = 25°C
≤
≤
≤
Characteristic Values
VVZ 110 VVZ 175
5 mA
0.3 mA
1.75
1.57
V
10
V
V G
1: I GT , T VJ = 125°C
2: I GT , T VJ = 25°C
3: I GT , T VJ = -40°C
V T0
r T
For power-loss calculations only
(T VJ = 125°C)
0.85
6
0.85
3.5
V
m Ω
1
2
3
5
6
V GT
I GT
V GD
I GD
V D = 6 V;
V D = 6 V;
T VJ = T VJM ;
T VJ = T VJM ;
T VJ = 25°C
T VJ = -40°C
T VJ = 25°C
T VJ = -40°C
V D = 2 / 3 V DRM
V D = 2 / 3 V DRM
≤
≤
≤
≤
≤
≤
1.5
1.6
100
200
0.2
5
V
V
mA
mA
V
mA
0.1
1
I GD , T VJ = 125°C
4
4: P GAV = 0.5 W
5: P GM = 5 W
6: P GM = 10 W
I L
I H
t gd
I G = 0.3 A; t G = 30 μs T VJ = 25°C
di G /dt = 0.3 A/μs
T VJ = 25°C; V D = 6 V; R GK = ∞
T VJ = 25°C; V D = ? V DRM
≤
≤
≤
450
200
2
mA
mA
μs
1 10 100 1000
I G
Fig. 1 Gate trigger characteristics
120
mA
I G = 0.3 A; di G /dt = 0.3 A/μs
A
VVZ 110
R thJC
R thJH
d S
d A
a
per thyristor (diode); DC current
per module
per thyristor (diode); DC current
per module
Creeping distance on surface
Creepage distance in air
Max. allowable acceleration
0.65
0.108
0.8
0.133
10
9.4
50
0.46
0.077
0.55
0.092
K/W
K/W
K/W
K/W
mm
mm
m/s 2
I dAV
100
80
60
40
20
0
0
50
100
°C
150
T C
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
M6x12
900
Fig. 2 DC output current at case
temperature
0.7
A
VVZ 110
50 Hz
K/W
VVZ 110
I FSM
800
700
T VJ = 45°C
80% V RRM
Z thJC
0.6
0.5
600
94
80
500
0.4
26
72
26
0.3
400
300
T VJ = 125°C
0.2
C ~
D ~
E ~
3
2
A +
B -
4
5
200
0.1
1
6
100
0.0
2.8 x 0.8
M6
12
25
66
7
10 -3 10 -2 10 -1
Fig. 3 Surge overload current
10 0
t
s
10 1
10 -3 10 -2 10 -1 10 0 s
t
Fig. 4 Transient thermal impedance
10 1
I FSM : Crest value, t: duration
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
junction to case (per leg)
20100706b
2-2
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